华虹半导体科创板IPO获批,2022年其功率器件及嵌入式非易失性存储器业务占比超62%

票招股书(上会稿)文件显示,发行人本次发行拟募集资金 180 亿元,其中华虹制造(无锡)项目拟使用募集资金125亿元,占拟募集资金总额的比例为 69.44%。8 英寸厂优化升级项目、 特色工艺技术创新研发项目和补充流动资金拟使用募集资金分别为20亿元、25亿元和10亿元,占拟募集资金总额的比例分别为11.11%、13.89%和5.56%。

  2023年5月17日,上交所官网发布信息显示,华虹半导体有限公司(以下简称华虹半导体或华虹)科创板IPO已获上市委审议通过。BeFesmc

  5月10日,上交所官网披露华虹半导体科创板首次公开发行股票招股书(上会稿)文件显示,发行人本次发行拟募集资金 180 亿元,其中华虹制造(无锡)项目拟使用募集资金125亿元,占拟募集资金总额的比例为 69.44%。8 英寸厂优化升级项目、 特色工艺技术创新研发项目和补充流动资金拟使用募集资金分别为20亿元、25亿元和10亿元,占拟募集资金总额的比例分别为11.11%、13.89%和5.56%。BeFesmc

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  招股书信息显示,华虹制造(无锡)项目的实施主体为华虹制造,发行人已对本次募投项目进行了充分的分析和论证,但该可行性分析是基于当前市场环境、发行人现有业 务状况和未来发展战略等因素形成的,若前述因素发生重大变化,比如未来实施 主体的股权结构因各种原因发生变更,可能导致对实施主体的公司治理和经营管 理造成不利影响;华虹制造(无锡)项目预计总投资额为67亿美元,其中 40.2 亿美元将由该项目实施主体各股东以增资方式向华虹制造投入资金,剩余 26.8 亿美元将以债务融资方式筹集。而发行人持有华虹制造 51%股权,需要以增资方 式向华虹制造投入 20.5 亿美元,发行人出资来源为本次发行的募集资金和自有资金。BeFesmc

  此外,文件信息还显示,如发行人本次发行的募集资金不足,或自有资金未能及时到位,或相关银行未能及时提供贷款资金,可能导致项目资金无法及时到位。 对于其他三个募投项目,如本次发行募集资金不足,也可能导致项目资金无 法及时到位。BeFesmc

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  主营业务收入情况

  招股书文件显示,2022年,华虹半导体营业收入为167.86亿元,归母所有者的净利润为30.09亿元,扣除非经常性损益的归母所有者的净利润为25.7亿元。BeFesmc

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  作为全球领先的特色工艺晶圆代工企业,也是行业内特色工艺平台覆盖最全面的晶圆代工企业,华虹半导体立足于先进“特色 IC+功率器件”的战略目标,提供包括嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理、逻辑与射频等多元化特色工艺平台的晶圆代工及配套服务。BeFesmc

  据披露数据显示,在华虹半导体2022年主要收入构成中,功率器件、嵌入式非易失性存储器、模拟与电源管理、 逻辑与射频、独立式非易失性存储等业务营收金额分别为52.26亿元、52.05亿元、30.13亿元、18.23亿元、13.86亿元,占比分别为31.36%、31.23%、18.08%、10.94%、8.31%。BeFesmc

发行人按照工艺 平台分类的主营业务收入构成情况BeFesmc

  主营业务及主营产品情况

  招股书显示,根据 IC Insights 发布的 2021 年度全球晶 圆代工企业排名中,华虹半导体位居第六位,中国大陆第二位。该公司在报告期内的业务增长均高于同行标杆企业或全球行业平均,同时,其也是全球领先、中国大陆排名第一的特色工艺晶圆代工企业。BeFesmc

  比如,在嵌入式非易失性存储器领域,该公司是全球最大的智能卡 IC 制造代工企业以及国内最 大的 MCU 制造代工企业;在功率器件领域,该公司是全球产能排名第一的功率器件晶圆代工企业,也是唯一一家同时具备 8 英寸以及 12 英寸功率器件代工能力的企业。BeFesmc

根据市场需求与技术发展方向,华虹不断推出多样化且具有市场竞争力的特色工艺平台(招股书)BeFesmc

  此外,根据披露信息显示,华虹半导体目前有三座 8 英寸晶圆厂和一座 12 英寸晶圆厂,其主要向客户提供 8 英寸及 12 英寸晶圆的特色工艺代工服务,在不同工艺平台上,按照客户需求为其制造多种类的半导体产品;同时为客户提供包括 IP 设计、测试等配套服务。BeFesmc

  截至 2022 年末,上述生产基地的产能合计达到 32.4 万片/月(约当 8 英寸),总产能位居中国大陆第二位。BeFesmc

  晶圆代工服务BeFesmc

  华虹半导体坚持布局与持续发展特色工艺技术平台,在 0.35µm 至 90nm 工艺节点 的8英寸晶圆代工平台,以及90nm到55nm工艺节点的12英寸晶圆代工平台上, 覆盖了上述嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理、传感 器等各类工艺平台产品的晶圆代工服务,是行业内特色工艺平台覆盖最全面的企业。BeFesmc

  ①嵌入式/独立式非易失性存储器BeFesmc

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  在嵌入式非易失性存储器平台,该公司主要的代工产品为 MCU(可根据应用 领域细分为车规 MCU、工控类 MCU、消费类 MCU 等)以及智能卡芯片,依靠长期的技术创新和经验积累形成了覆盖 8 英寸 0.35µm-90nm 和 12 英寸 90nm-55nm 的嵌入式非易失性存储器代工方案,同等工艺节点下,在制造工艺光刻层次以及嵌入式闪存 IP 擦写次数等参数方面拥有独特的优势。BeFesmc

  在车规 MCU 领域,该公司的代工产品成功在车身电子、自动泊车、 智能座舱、胎压监测等领域得到广泛应用;同时,其打造了 0.18µm-90nm 超 低漏电以及 0.18µm-55nm 低功耗嵌入式闪存等业内领先的工艺平台,其代工产 品广泛应用于智能电网、医疗电子等工控类 MCU 领域以及智能互联设备、物联 网等消费类 MCU 领域。BeFesmc

  同时,根据 TrendForce 及 ABI Research 的行业数据,该公司还是全球最大的智能卡 IC 制造代工企业,在全球 SIM 卡及银行 IC 卡、国内 二代身份证及社保卡领域的市场占有率处于领先地位。BeFesmc

  在独立式非易失性存储器平台,该公司主要的代工产品包括 NOR Flash 与 EEPROM,多数种类的电子设备均需要使用独立式非易失性存储器,应用领域极其广泛,覆盖工业、白色家电、汽车电子以及各类低功耗物联网设备等。以 TWS 耳机为代表的可穿戴设备、手机屏幕显示的 AMOLED 和 TDDI 技术,智能物联网,以及功能越来越丰富的车载电子等领域将是未来市场空间的主要增长点。BeFesmc

  ②功率器件BeFesmc

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  在功率器件领域,根据 TrendForce 的公布数据,该公司拥是全球产能排名第一的功率器件晶圆代工企业,也是唯一一家同时具备 8 英寸以及 12 英寸功率器件代工能力的企业。该公司的功率器件种类丰富度行业领先,自主研发的深沟槽式超级结 MOSFET、IGBT 等工艺技术完成了从 8 英寸至 12 英寸的升级,推动了中国本土功率器件全产业链的发展。BeFesmc

  此外,该公司的超级结 MOSFET 工艺平台的导通电阻、功率密度等均达到全球领先 水平,相应电压范围可以涵盖 200-900V,电流范围涵盖 1-100A,高度契合当前 热门的大功率快充电源、LED 照明电源、数据中心电源及新能源汽车充电桩及 车载充电机等高端应用需求;公司的IGBT工艺平台产品具有大电流、高可靠性、 小尺寸等特点,产品应用于新能源汽车以及光伏、风能、储能、变频家电等新能源领域。BeFesmc

  ③模拟与电源管理BeFesmc

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  该公司的模拟与电源管理平台已自主研发覆盖8 英寸 0.35µm-0.11µm 以及 12 英寸 90nm-55nm 等多代 BCD 工艺平台,器件 种类涵盖中低压、高压以及超高压等各类产品(1.5V-700V),是全球领先的模拟 与电源管理工艺技术提供商,产品主要应用于工业和汽车电子以及模拟电源、模 拟音频功放、电机驱动、数字电源、数字音频功放、照明控制驱动等各类消费电 子等领域。BeFesmc

  ④逻辑与射频BeFesmc

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  该公司的逻辑与射频工艺平台主要包括特色逻辑射频工艺产品和图像传感器, 是中国国内主要的射频及图像传感器技术制造方案提供商。BeFesmc

  除晶圆代工外,该公司还围绕晶圆代工做配套服务,比如IP 设计ヽ测试及晶圆后道加工服务。BeFesmc

  ①IP 设计服务:以嵌入式非易失性存储器领域为例,公司根据多年的技术积累,依托自身丰 富的嵌入式存储器 IP 设计经验、以及工艺整合和 IP 模块测试等方面的综合能力, 可根据客户的需求,为客户提供量身定做的嵌入式非易失性存储器 IP,以实现 更小的面积、更快的速度、更低的功耗等竞争优势。BeFesmc

  ②测试服务:公司具有完善的自有测试系统,为客户提供部分特色工艺产品的测试程序开 发和晶圆量产测试服务,从产品设计时的可测试性设计、产品测试评价及量产测 试系统的开发,到外协的封装测试支持,公司为客户提供全方位的测试技术解决 方案。BeFesmc

  ③晶圆后道加工服务:公司为客户提供晶圆后道减薄加工服务,晶圆减薄在集成电路堆叠封装技术 的提升及功率器件电学特性的提升方面起到了关键作用。公司拥有行业领先的技 术研发团队和量产平台,具备突出的晶圆背面加工能力,特别在 IGBT 等功率器 件工艺平台的背面加工工艺(如超薄片减薄、背面离子注入、背面激光退火、背 面金属、背面光刻等)方面拥有自研专利技术,帮助产品优化电学性能。BeFesmc

  与国际龙头企业存在差距的风险

  在招股书中,华虹半导体称,目前全球晶圆代工技术已发展至较高水平,以台积电为代表的国际龙头企业 已实现 5nm 及以下工艺节点量产,联华电子、格罗方德等企业亦已将工艺节点 推进至14nm及以下水平,而发行人目前工艺节点尚处于55nm的成熟制程范围, 与国际龙头企业及先进工艺节点存在较大差距。BeFesmc

  与业内领先者相比,华虹在产线数量、营业收入存在较大差距,因此在工艺平台覆盖、代工产品种类上亦会受到影响,这对该公司争夺先进工艺节点下的高端晶圆代工市场、提升规模经济效应、产品议价能力及市场竞争力带来不利影响。 同时,受地缘政治等因素影响,差距可能在中短期内无法消除,如该公司无法持续进行工艺进步与技术创新,将导致与国际主流厂商差距扩大。BeFesmc

责编:Zengde.Xia
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